CMF65R190SD是一款采用Cmos先進超結(jié)技術(shù)的功率MOSFET。它不僅具備快速開關(guān)的超結(jié)MOSFET的所有優(yōu)點，還提供了一個快恢復的體二極管。
CMSA010N04AU是場效應半導體（Cmos）一款高性能N溝道MOSFET，專為低壓、大電流應用場景優(yōu)化。
CMSC055N06是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術(shù)設計生產(chǎn)，具有非常卓越的RDS（ON）。
CMB073N15是場效應半導體(Cmos)開發(fā)的一款具有“高能效、高功率密度、高可靠性”三重優(yōu)勢于一體的功率MOSFET，已成為電力電子、汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源領(lǐng)域的理想選擇。
CMH80P10 MOSFET是場效應半導體（Cmos）開發(fā)的一款P溝道金屬氧化物半導體元器件，其卓越的電氣性能和可靠性，成為中低壓、大電流場景下的核心器件。
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