CMSC055N06是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術設計生產，具有非常卓越的RDS（ON）。
CMB180P04G是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的溝槽工藝技術和設計，提供非常優秀的RDS（ON），非常適用于先進的高效開關應用，廣泛應用于負載開關、電池保護電路、LED控制、電機控制等。
CMP073N15集合了低導通電阻、高耐壓、低開關損耗 等多項特點，成為各種高效能電源系統和高功率應用的理想選擇。
CMD8447B采用Cmos先進的溝槽技術和設計，提供優秀的RDS（ON）與低門電荷，具有低導通損耗和低開關損耗，它可以高效用于多種應用電路中，包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機驅動、LED控制器等。
CMD130N85A是Cmos通過不斷優化柵極氧化層并多極分割柵極溝槽得到的后優化溝槽工藝制造而成，典型的特點是，具有更優秀的開關響應時效性，極低的RDSON,低FOM和更優秀的單元一致性。
