CMF65R190SD：優(yōu)秀開關(guān)電源MOS
CMF65R190SD：優(yōu)秀開關(guān)電源MOS
CMF65R190SD是一款采用Cmos先進(jìn)超結(jié)技術(shù)的功率MOSFET。它不僅具備快速開關(guān)的超結(jié)MOSFET的所有優(yōu)點(diǎn)，還提供了一個(gè)快恢復(fù)的體二極管。這種組合，結(jié)合極低的開關(guān)、換向和傳導(dǎo)損耗以及最高的魯棒性，使得共振開關(guān)應(yīng)用更加可靠、高效且輕便。提供優(yōu)秀的RDS(ON)和極低門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，提供高效率。非常適合各類開關(guān)切換模式電源及充電電源。
卓越的電氣特性
CMF65R190SD的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMF65R190SD的耐壓（BVDSS）為650V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）為20A。
雪崩能量：CMF65R190SD采用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，100%雪崩能量測(cè)試，單次雪崩能量EAS為960mJ。
低EMI：CMF65R190SD采用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，應(yīng)用時(shí)具有低EMI、易通過EMC測(cè)試的特點(diǎn)。
低熱阻：CMF65R190SD采用TO-220F封裝，具有良好的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為2.78℃/W，有良好的散熱能力。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMF65R190SD的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大為190mΩ。低導(dǎo)通電阻能降低導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高電路的能效，使得在開關(guān)電源電路應(yīng)用中效率更高。
低開關(guān)損耗：低QG、較小的CISS，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能，較小的開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMF65R190SD 由于其優(yōu)異的特性，適用于多種開關(guān)切換電源，MOS管的低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接決定管子工作時(shí)的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結(jié)電容，使管子有較好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗。
通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMF65R190SD中，使其成為各種開關(guān)切換類電源應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)秀的MOS。
