選擇場效應(yīng)半導(dǎo)體CMF65R080SDMOSFET，您將獲得提升系統(tǒng)效率、縮小產(chǎn)品體積、增強(qiáng)可靠性的關(guān)鍵利器。
CMH75N65EH5—650V/75A IGBT是場效應(yīng)半導(dǎo)體采用新的溝槽設(shè)計理念
CMF65R190SD是一款采用Cmos先進(jìn)超結(jié)技術(shù)的功率MOSFET。它不僅具備快速開關(guān)的超結(jié)MOSFET的所有優(yōu)點(diǎn)，還提供了一個快恢復(fù)的體二極管。
CMSA010N04AU是場效應(yīng)半導(dǎo)體（Cmos）一款高性能N溝道MOSFET，專為低壓、大電流應(yīng)用場景優(yōu)化。
CMSC055N06是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT技術(shù)設(shè)計生產(chǎn)，具有非常卓越的RDS（ON）。
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