CMB180N04-7是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的工藝和技術，是專為高電流開關應用而設計的N通道MOS場效應晶體管。
CMSC055N06是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術設計生產，具有非常卓越的RDS（ON）。
CMB180P04G是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的溝槽工藝技術和設計，提供非常優秀的RDS（ON），非常適用于先進的高效開關應用，廣泛應用于負載開關、電池保護電路、LED控制、電機控制等。
CMP073N15集合了低導通電阻、高耐壓、低開關損耗 等多項特點，成為各種高效能電源系統和高功率應用的理想選擇。
CMD8447B采用Cmos先進的溝槽技術和設計，提供優秀的RDS（ON）與低門電荷，具有低導通損耗和低開關損耗，它可以高效用于多種應用電路中，包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機驅動、LED控制器等。
