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CMB073N15是場效應(yīng)半導(dǎo)體(Cmos)開發(fā)的一款具有“高能效、高功率密度、高可靠性”三重優(yōu)勢于一體的功率MOSFET，已成為電力電子、汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源領(lǐng)域的理想選擇。

CMD60R180S6ZD是采用Cmos先進(jìn)的超級結(jié)工藝開發(fā)的一款N溝道功率場效應(yīng)管（MOSFET），其特點(diǎn)具有高頻特性好，反向快恢復(fù)時間短，并且具有HBM>2kV的靜電或浪涌防護(hù)能力等。

逆變設(shè)備在電力工程和電子設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用基礎(chǔ)，從大至千伏級別的超高壓大型電力工程設(shè)備，到小至百伏小型開關(guān)電源中都會用到逆變設(shè)備或者逆變系統(tǒng)。

CMP1608A是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的溝槽技術(shù)工藝生產(chǎn)的，該工藝已被定制為最大限度減小導(dǎo)通電阻RDS(ON)，同時保持優(yōu)越的開關(guān)性能。非常適合用于電池管理、不間斷電源、開關(guān)控制、切換類電源、逆變器電源等多種應(yīng)用。

CMP50N20是一款200V平面工藝N溝槽場效應(yīng)管，這種工藝典型特點(diǎn)是抗沖擊能力強(qiáng)和參數(shù)一致性表現(xiàn)好。