美媒：美國防部擬建下一代半導(dǎo)體制造中心
美媒：美國防部擬建下一代半導(dǎo)體制造中心
來源：參考消息網(wǎng)
參考消息網(wǎng)11月28日報道 據(jù)美國《防務(wù)新聞》周刊網(wǎng)站11月23日報道，美國國防部高級研究計劃局表示，計劃在明年夏天發(fā)出一份建設(shè)合同，在美國建立一個先進(jìn)微電子制造中心。
報道稱，這個被稱為“下一代微電子制造”的項目將為相關(guān)研究和設(shè)備提供資金，建立一個國內(nèi)尖端制造技術(shù)原型中心。國防部高級研究計劃局希望借此讓美國半導(dǎo)體工業(yè)基礎(chǔ)處于領(lǐng)先地位。目標(biāo)是到2029年確立這種能力。
該中心將重點(diǎn)研究三維異質(zhì)異構(gòu)集成微系統(tǒng)（3DHI），這是一種先進(jìn)的微電子制造方法。3DHI研究的前提是，通過集成和封裝不同類芯片器件，制造商可以分解存儲和處理等功能，從而顯著提高性能。
該技術(shù)領(lǐng)域不僅可以革新美國的工業(yè)基礎(chǔ)，而且其他國家和地區(qū)都有濃厚的興趣加入。
國防部高級研究計劃局在11月20日的項目公告中表示：“目前，美國沒有具備全面3DHI研發(fā)能力的開放制造中心。預(yù)計微電子領(lǐng)域的下一波創(chuàng)新浪潮將來自通過先進(jìn)封裝集成異質(zhì)材料、器件和電路的能力，而國防部高級研究計劃局建議建立一個專門針對下一代3DHI的國家級研發(fā)中心。”
今年7月，國防部高級研究計劃局選擇了11個團(tuán)隊開始進(jìn)行項目的基礎(chǔ)工作。該機(jī)構(gòu)近日表示，計劃為項目的下兩個階段選擇一個團(tuán)隊，每個階段的合同金額最高達(dá)4.2億美元。
根據(jù)合同，被選中的團(tuán)隊也將為項目提供部分資金。國防部高級研究計劃局計劃在11月28日向業(yè)界簡要通報該項目。
中國大陸和臺灣生產(chǎn)的先進(jìn)半導(dǎo)體在全球市場占據(jù)主導(dǎo)地位。這些關(guān)鍵的微系統(tǒng)用于汽車、手機(jī)和國防部的主要武器。近年來，人們越來越擔(dān)心這些系統(tǒng)過度依賴外國供應(yīng)鏈。
國防部高級研究計劃局通過“下一代微電子制造”等項目專注于前瞻性技術(shù)，這與美國政府覆蓋面更廣泛的芯片法案不同，后者旨在加強(qiáng)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。國會于2022年通過《美國芯片法案》，相關(guān)措施將持續(xù)到2026年，為加強(qiáng)半導(dǎo)體行業(yè)人才培養(yǎng)、研發(fā)和制造提供資金。法案還規(guī)定，投資美國國內(nèi)制造設(shè)施和設(shè)備將享受25%的稅收抵免。
報道稱， 芯片法案的重點(diǎn)是在短期內(nèi)支持美國的供應(yīng)基礎(chǔ)，而國防部高級研究計劃局在這一領(lǐng)域的努力是面向“下一波創(chuàng)新”。
“下一代微電子制造”項目是這些努力的核心，隸屬于該機(jī)構(gòu)的電子復(fù)興計劃2.0，該計劃旨在解決影響美國國家安全和商業(yè)工業(yè)的技術(shù)挑戰(zhàn)。
“下一代微電子制造”項目的第一階段將專注于購買設(shè)備，創(chuàng)建基礎(chǔ)制造流程，開發(fā)針對3DHI系統(tǒng)的自動化和仿真軟件。第二階段的重點(diǎn)是創(chuàng)建硬件原型、自動化流程和開發(fā)仿真功能。
國防部高級研究計劃局表示：“該項目的最終目標(biāo)是，在一個并非由聯(lián)邦政府擁有和運(yùn)營的實體的現(xiàn)有設(shè)施上建立一個自給自足的3DHI制造中心，并向?qū)W術(shù)界、政府和行業(yè)用戶開放。”
“衡量項目成功與否的標(biāo)準(zhǔn)是，它能否以合理的成本和周期支持各種高性能3DHI微系統(tǒng)的設(shè)計、制造、組裝和測試，從而支持快節(jié)奏的創(chuàng)新研究。”該機(jī)構(gòu)補(bǔ)充道。
