室溫超導(dǎo)材料獲突破，國產(chǎn)量子芯片技術(shù)商用加速，擋不住中國芯了
室溫超導(dǎo)材料獲突破，國產(chǎn)量子芯片技術(shù)商用加速，擋不住中國芯了
來源：柏銘科技
日前華中科技大學(xué)常海欣教授團(tuán)隊(duì)成功合成了可以磁懸浮的LK-99晶體，該晶體懸浮的角度比韓國Sukbae Lee等人獲得的樣品磁懸浮角度更大，這是國產(chǎn)室溫超導(dǎo)材料的重大突破。
LK-99晶體材料由韓國人在兩年前提出，這是一種可以實(shí)現(xiàn)室溫超導(dǎo)性能的材料，此舉對于推進(jìn)磁懸浮的商用化具有重要意義，畢竟此前的磁懸浮都需要在超低溫度下實(shí)現(xiàn)，其實(shí)這種材料對于當(dāng)下競爭激烈的芯片來說尤為重要。
硅基芯片技術(shù)已被認(rèn)為即將達(dá)到極限，臺(tái)積電、三星等將硅基芯片工藝推進(jìn)到3納米發(fā)現(xiàn)難以實(shí)現(xiàn)成本較低的良率，臺(tái)積電的3納米工藝量產(chǎn)近半年也只有55%的良率，如此情況下導(dǎo)致硅基芯片繼續(xù)推進(jìn)芯片制造工藝難度越來越大，普遍認(rèn)為1納米將是硅基芯片的極限。
為此全球都在推進(jìn)量子芯片、光子芯片等技術(shù)，其中量子芯片是中國和美國都已居于領(lǐng)先地位的芯片技術(shù)，各有科研機(jī)構(gòu)表示它們的量子計(jì)算機(jī)已達(dá)到可觀的性能，遠(yuǎn)超當(dāng)下的超級(jí)計(jì)算機(jī)，不過量子芯片技術(shù)面臨的一大難題就是需要在極低溫度下才能工作，合肥本源量子為了確保量子芯片的運(yùn)作就研發(fā)了量子冰箱確保量子芯片在極低溫度下工作。
如此就導(dǎo)致了量子芯片即使能生產(chǎn)出來，也需要龐大的設(shè)備，這樣的量子計(jì)算機(jī)顯然很難走入人們的生活，也很難投入工業(yè)生產(chǎn)中，而室溫超導(dǎo)材料則可以解決這一問題，中國的機(jī)構(gòu)合成了性能更強(qiáng)的LK-99晶體無疑將為國產(chǎn)量子芯片的商用加速。
中國在基礎(chǔ)材料研發(fā)方面向來非常重視，這得益于中國龐大的研發(fā)機(jī)構(gòu)，各個(gè)學(xué)校的產(chǎn)學(xué)研推進(jìn)就為這些材料的研發(fā)提供了巨大的可能性，畢竟每一種材料的研發(fā)都需要無數(shù)次的試錯(cuò)才能找到真正合適的材料，華科成為其中成功合成室溫超導(dǎo)材料LK--99晶體也就在情理之中。
在先進(jìn)芯片材料方面，中國其實(shí)已取得了許多突破，中國研發(fā)的氮化鎵、碳化硅等第三代芯片材料就居于全球前列，正是獲益于中國在第三代芯片材料方面的進(jìn)展，中國在汽車芯片、快充技術(shù)等方面都居于全球前列，這也印證了中國更可能在先進(jìn)材料方面取得突破。
中國成功合成先進(jìn)的室溫超導(dǎo)材料將是中國在材料研發(fā)方面的重大突破，室溫超導(dǎo)材料的研發(fā)將讓所有芯片都可以實(shí)現(xiàn)微型化，芯片的功耗更低將真正實(shí)現(xiàn)無需散熱風(fēng)扇的高性能PC，性能也由此得到極速提升，業(yè)界都清楚CPU的耗電中其實(shí)用于計(jì)算的電力占比較小，有很大部分浪費(fèi)在發(fā)熱中，而發(fā)熱也阻止了硅基芯片進(jìn)一步提升性能，室溫超導(dǎo)將解決這一問題，甚至當(dāng)前國產(chǎn)化的28納米工藝也能生產(chǎn)出遠(yuǎn)超5納米工藝的芯片，打破美國的限制。
室溫超導(dǎo)材料的推出還將進(jìn)一步加強(qiáng)中國已取得突破的新能源汽車，有了室溫超導(dǎo)技術(shù)，那么幾秒鐘充滿電將不在話下，可以說室溫超導(dǎo)材料的突破，將進(jìn)一步增強(qiáng)中國制造在諸多行業(yè)的實(shí)力。
中國科技行業(yè)近幾年取得了許多讓人驚喜的進(jìn)步，美國妄圖利用它所取得的技術(shù)優(yōu)勢在諸多行業(yè)阻礙中國科技的發(fā)展，然而中國諸多行業(yè)的努力正逐步形成一個(gè)體系，最終全面打破美國的技術(shù)體系，美國的圖謀必將破滅，而中國科技將迎來輝煌。
