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Cmos優勢物料推選六:CMD840

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Cmos優勢物料推選六:CMD840

>>CMD840詳情頁

CMD840 MOS是一款采用平面工藝設計的高壓小電流FET,作為電子工程師我們都知道,平面工藝FET很多電性特征參數都與內部晶片大小息息相關。在產品制造過程中,FET大多表現出特征參數相悖的特點,比如,在實際物料生產中,為降低導通內阻,就需要相應增大實際的晶片面積,為降低Ron須增大硅片面積使成本增加, 工藝寄生電容隨之也會增大,結合實際應用環境,如果對寄生電容不進行優化和控制,那么這種參數MOS管其應用環境將會受限制。在這一點上,Cmos經過在工藝上不斷創新,打破了理論限制,創造性的推出CMD840 FET,有效的拓寬了平面工藝物料的應用環境。


封裝形式

CMD840 MOSFET提供TO-252貼片和TO-251插件兩種封裝新式,其外觀和內部拓撲結構如下圖所示:

電性參數



耐壓和耐流能力

CMD840是一款高壓小電流的場效應管,其擊穿電壓BVDSS可達500V,漏源持續電流ID為8A。從伏安特征值、導通內阻及結合實際電路的特性來看,該物料不具備過大電流的能力。


優秀的開關速度

CMD840 MOSFET CISS為1400PF,COSS為210PF,得益于對更低的寄生電容的控制,使得CMD840成為電源應用,無刷電機組合應用方案的理想之選。



CMD840是一款平面工藝場效應管,具有更高的抗沖擊性能和更好的電參數一致性。參數的一致性尤其在半橋,全橋,推挽等MOSFET組合結構中尤為重要。通過對以往電路故障分析發現,在半橋應用中,上管和下管的死區控制時間是重要的參數之一,所以調整死區時間時盡量減少外部其他非必要因素的影響,否則參與的變量越多對死區時間的影響就越廣,結果就是合理的死區時間調整就越困難。所以,為了減小非必要因素引起的關鍵性參數退變,不能僅停留在具體參數的匹配性上,還要對物料工藝有所考慮,唯有如此,方能節約元器件上電測試時間,使新品盡快得到試產。

以下是小編整理的MOSFET不同工藝的結構分析:



Cmos半導體產品

歷經二十四年發展,Cmos半導體已經成長為技術先進,品質卓越,物品豐富,高性價比的綜合性半導體企業。Cmos產品有:MOS場效應管,晶閘管,IGBT,三端穩壓芯片,三極管,二極管等,應用鄰域廣泛,性能可靠穩定。


Cmos產品應用領域

消費電子類:家電,電動車,無人機,戶外顯示,開關電源,筆記本電腦,電動工具;

工業電子類:智能儀表,無線通訊,光伏,5G通訊,服務器,物聯網;

汽車電子類:新能源汽車,充電樁,軌道交通。


Cmos半導體是優質的國產半導體廠家,擁有豐富的MOSFET和其他半導體產品,具備出色性能以及價格優勢。產品生產工藝齊全先進,產品系列應用廣泛,產品分布低功率至高功率應用。下面是Cmos的部分主推型號參數,更多型號資料請聯系在線客服或登錄Cmos官網,可索取免費樣品以及報價、技術支持服務。


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