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800V高壓MOS：CMF80R450P

>>CMF80R450P詳情頁

CMF80R450P功率MOSFET，是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的超級結技術，實現非常低的內阻RDS(on)和柵極電荷QG。采用優化的電荷耦合技術來提供高的效率。應用范圍廣泛，可用于開關應用，DC-DC轉換器，電機控制，Adaptor電源、PFC電源應用等。有800V高耐壓能力，及很好的性價比。

CMF80R450P的主要電氣特性包括： 

高耐壓：CMF80R450P的耐壓（BVDSS）為800V。

電流能力：在25℃條件下，其最大連續漏極電流（ID）可達11A。

高抗沖擊力：CMF80R450P采用Cmos先進的超級結技術，單次雪崩能量為260mJ，使其有較強的抗沖擊能力，能承受在雪崩和換向模式下的高能量脈沖。

低開啟電壓：開啟電壓VGS（th）是2~4V，使得在較低的驅動電壓下也能開啟。

低導通損耗：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMF80R450P的導通電阻（RDS(on)）最大為0.4Ω。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗，提高了電路的能效，使得在電路應用中效率更高。

低開關損耗：非常低的QG、結電容，使其具有優越的開關性能，非常低的開關損耗。

CMF80R450P 由于其優異的特性，適用于多種應用場景，適合于多種電源電路。MOS管的高耐壓、低導通電阻、直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效。低QG、低結電容，使其具有很好的開關特性及低開關損耗，能夠很好地滿足電路需求。

CMF80R450P 采用的TO-220F封裝，其優秀的電氣特性，使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些特性集成到CMF80R450P中，使其在各種電源電路應用中表現出色。