優(yōu)秀超結(jié)MOS：CMH65R115P
優(yōu)秀超結(jié)MOS：CMH65R115P
超結(jié)MOS以高耐壓、低內(nèi)阻、低CISS、低QG，具有開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高、開(kāi)關(guān)損耗小、導(dǎo)通損耗小、轉(zhuǎn)化效率高、熱穩(wěn)定性好、易驅(qū)動(dòng)等特性，廣泛用于電源等電路中。
CMH65R115P功率MOSFET，使用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和門(mén)電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，可以提供高效率。具有超結(jié)MOS的各種優(yōu)點(diǎn)，可以很容易快速地應(yīng)用到新的和現(xiàn)有的電源設(shè)計(jì)中。
卓越的電氣特性
CMH65R115P的主要電氣特性包括：
耐壓與電流能力：CMH65R115P的耐壓（BVDSS）為650V，在25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)33A。
低EMI：CMH65R115P采用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)，應(yīng)用時(shí)具有低EMI、易通過(guò)EMC測(cè)試的特點(diǎn)。
溫升低：CMH65R115P采用TO-247封裝，具有良好的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為0.49℃/W，有很好的散熱能力。
導(dǎo)通損耗小：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMH65R115P的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為0.115Ω。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高了電路的能效，使得在電源等電路使用中效率更高。
開(kāi)關(guān)損耗小：較小的QG、CISS，使其具有優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，較小的開(kāi)關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMH65R115P MOS管由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，在各種電源電路中表現(xiàn)優(yōu)秀。MOS管的低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接影響工作時(shí)的溫升、可靠性、能效，低QG、低結(jié)電容，有較好的開(kāi)關(guān)特性及低開(kāi)關(guān)損耗。CMH65R115P表現(xiàn)出色，能夠很好地滿(mǎn)足電路需求。
MOS管在電力電子中起到重要作用，其性能直接影響整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性。MOS管的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和熱阻（RθJC）是決定其導(dǎo)通性能和散熱能力的關(guān)鍵因素。低導(dǎo)通電阻可以減少導(dǎo)通損耗，提高效率，而低熱阻可以確保在高功率條件下快速散熱，使器件不會(huì)過(guò)熱，從而延長(zhǎng)其使用壽命。
CMH65R115P MOS管采用的TO-247封裝，通過(guò)優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，CMOS成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMH65R115P中，使其在電源電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
