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CMD65R290:反激電源的優(yōu)選

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CMD65R290:反激電源的優(yōu)選

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CMD65R290功率MOSFET,使用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù),實(shí)現(xiàn)非常低的電阻和門電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù),可以提供高效率。為設(shè)計(jì)者提供低EMI和低開關(guān)損耗的優(yōu)勢,非常適合反激電源電路應(yīng)用,溫升低,易過EMC。



卓越的電氣特性                                     

CMD65R290的主要電氣特性包括: 

耐壓與電流能力:CMD65R290的耐壓(BVDSS)為650V,在25℃條件下,其最大連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)13A。



低EMI:CMD65R290采用Cmos先進(jìn)的超結(jié)技術(shù),應(yīng)用時具有低EMI、易通過EMC測試的特點(diǎn)。

溫升低:CMD65R290采用TO-252封裝,具有良好的熱管理性能,其結(jié)到殼的熱阻(RθJC)為0.95℃/W,有很好的散熱能力。



導(dǎo)通損耗小:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMD65R290的導(dǎo)通電阻(RDS(on))最大為0.3Ω。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗,提高了電路的能效,使得在反激電源等電路使用中效率更高。



開關(guān)損耗小:較小的QG、CISS,使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能,較小的開關(guān)損耗。



適用范圍廣泛                                     

CMD65R290 MOS管由于其優(yōu)異的特性,適用于多種應(yīng)用場景,特別是在反激電源電路中。


在反激電源應(yīng)用中,MOS管的低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接影響工作時的溫升、可靠性、能效,低QG、低結(jié)電容,有較好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗。CMD65R290表現(xiàn)出色,能夠很好地滿足電路需求。



MOS管在電力電子中起到重要作用,其性能直接影響整個電路的效率和穩(wěn)定性。MOS管的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和熱阻(RθJC)是決定其導(dǎo)通性能和散熱能力的關(guān)鍵因素。低導(dǎo)通電阻可以減少導(dǎo)通損耗,提高效率,而低熱阻可以確保在高功率條件下快速散熱,使器件不會過熱,從而延長其使用壽命。

 

CMD65R290 MOS管采用的TO-252封裝,通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝,CMOS成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMD65R290中,使其在反激電源電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。



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