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這種存儲,有望成為DRAM的替代者?

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這種存儲,有望成為DRAM的替代者?

來源:半導體行業觀察


       近日,英國蘭開斯特大學物理與工程系的科學家發表了一篇論文,詳細介紹了UltraRAM量產方面的突破。由于其極具吸引力的品質,研究人員多年來一直在考慮這種新型存儲器類型,而最新的突破意味著硅晶片上的大規模生產可能在眼前。UltraRAM被描述為一種內存技術,它“將閃存等數據存儲內存的非易失性與DRAM等工作內存的速度、能源效率和耐用性相結合。”
  
  重要的是,硅上的UltraRAM可能是一種通用內存類型,有朝一日將滿足PC和設備的所有內存需求(RAM和存儲)。然而,我們已經看到一些類似的被預示的想法被擱置了。電阻式RAM、磁阻式RAM和相變存儲器并沒有產生一些初步報告所預見的影響。此外,我們已經看到英特爾的Optane內存技術填補了DRAM和存儲之間的空白,但并未完全彌合鴻溝。英特爾去年這個時候推出了用于臺式電腦的Optane解決方案。
  
  UltraRAM背后的基礎科學在于它利用了化合物半導體的獨特特性,這通常用于光子器件,例如LED、激光器和紅外探測器,現在可以在硅上批量生產。研究人員聲稱,最新的硅化身優于在砷化鎵半導體硅片上測試的技術。
  
  UltraRAM的一些推斷數字是,它將提供“至少1,000年的數據存儲時間”,其快速切換速度和編程擦除循環耐久性“比閃存好一百到一千倍”。將這些品質添加到類似DRAM的速度、能源效率和耐用性上,這種新穎的內存類型聽起來很難讓科技公司忽視。
  
  如果您在上面幾行之間閱讀,您會發現UltraRAM旨在打破RAM和存儲之間的鴻溝。因此,理論上,您可以將其用作一次性解決方案來滿足這些當前單獨的需求。在PC系統中,這意味著您將獲得一大塊UltraRAM,例如2TB,這將滿足您的RAM和存儲需求。
  
  這種轉變,如果它發揮其潛力,將是推動流行的內存處理趨勢的好方法。畢竟,你的存儲就是你的記憶——有了UltraRAM;它是相同的晶圓。當一個用例取得成功時,看到UltraRAM部署擴展到從服務器到PC,再到智能設備、控制臺等,也就不足為奇了。新的內存技術是否足夠快,可以將專業的快速內存類型排除在外,比如當代GDDR和HBM技術,還有待觀察。
  
  UltraRAM定價可能是另一個棘手的問題。如果它沒有價格競爭力,那么它的潛在采用率和變革能力就會受到阻礙。這一經濟因素還有待觀察,但研究人員對UltraRAM的硅量產突破感到高興,使其易于使用。
  
  蘭開斯特大學的研究人員表示,正在進行進一步的工作以提高質量、微調制造工藝以及實施和擴展UltraRAM設備。
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