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外媒：半導(dǎo)體設(shè)備和材料迎3D化新商機(jī)
外媒：半導(dǎo)體設(shè)備和材料迎3D化新商機(jī)
來(lái)源:日經(jīng)中文網(wǎng)
“在3D封裝生態(tài)系統(tǒng)的構(gòu)建上，基板、封裝等設(shè)備和材料將越來(lái)越重要”，在日本茨城縣筑波市設(shè)置了研發(fā)基地的臺(tái)積電總監(jiān)ChrisChen這樣強(qiáng)調(diào)。3D化是在同一基板上集成更多芯片的技術(shù)。該基地將開(kāi)發(fā)用樹(shù)脂等封裝半導(dǎo)體并將其配備在基板上的技術(shù)。
以臺(tái)積電為代表的半導(dǎo)體大企業(yè)之所以大力研發(fā)3D封裝技術(shù)，是因?yàn)閮H靠傳統(tǒng)的技術(shù)開(kāi)發(fā)，已經(jīng)難以滿足以智能手機(jī)為代表的最終產(chǎn)品所要求的高性能。
此前對(duì)半導(dǎo)體性能提高起到重要作用的是縮小電子電路面積的“微細(xì)化”技術(shù)。但目前電路線寬已經(jīng)微細(xì)化至幾納米，開(kāi)發(fā)難度越來(lái)越高。因此，除了在一個(gè)芯片上集成微小電路之外，在同一基板上集成更多芯片的技術(shù)也成為關(guān)鍵。
當(dāng)天發(fā)表演講的英特爾高管PengBai表示“封裝技術(shù)的升級(jí)換代是發(fā)揮摩爾定律性能的重要因素”。呼吁日本的設(shè)備和材料廠商加緊投資并與英特爾展開(kāi)合作。
值得一提的是，AMD已成為3D封裝先鋒。今年11月，超微(AMD-US)首顆基于3DChiplet技術(shù)的資料中心CPU正式亮相，藉由臺(tái)積電(2330-TW)先進(jìn)封裝制程，擊敗英特爾(INTC-US)贏得Meta(FB-US)訂單，業(yè)界傳出，此次先進(jìn)封裝制程除了前端續(xù)采用與晶圓制程相近的設(shè)備外，濕制程階段則由弘塑(3131-TW)、辛耘(3583-TW)分別與信纮科(6667-TW)搭配，組成套裝設(shè)備，直接供應(yīng)臺(tái)積電，扮演臺(tái)灣在地供應(yīng)鏈要角。
此外，日本首相岸田文雄在本次會(huì)議上發(fā)表視頻致辭表示，為了加強(qiáng)日本國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體制造體制，“（日本）政府和民間將實(shí)施合計(jì)超過(guò)1萬(wàn)4000億日元的大膽投資”。
