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研究人員開發(fā)了新的納米線結(jié)構(gòu) 提高了芯片小型化能力

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研究人員開發(fā)了新的納米線結(jié)構(gòu) 提高了芯片小型化能力

來源:cnBeta.COM


       EPFL研究員ValerioPiazza在半導體材料實驗室工作,主要研究納米級的半導體。他特別關(guān)注納米線和使用半導體材料構(gòu)建的納米結(jié)構(gòu),研究的目標是將晶體管改進到超過當前的飽和點。晶體管是現(xiàn)代設(shè)備的關(guān)鍵部件,從汽車到智能手機和廚房電器,以及其他設(shè)備都廣泛運用。
  
  由于接近飽和的設(shè)計,晶體管的微型化正在達到極限。據(jù)Piazza稱,主要的挑戰(zhàn)是與克服飽和點有關(guān)的處理能力。
  
  他認為我們可以利用納米線和其他類型的納米結(jié)構(gòu)來克服當前的飽和狀態(tài)。目前的改進來自于微加工方法的進步,使工程師能夠開發(fā)出緊湊而復雜的電子設(shè)備。隨著晶體管尺寸的縮小,可以在電路上安裝更多的晶體管,提高其處理能力。
  
  電子設(shè)備能有多小,受限于晶體管的尺寸。Piazza致力于開發(fā)基于納米線的新型晶體管,以用于量子計算機。量子計算機依賴于被稱為量子比特的基本元素,即最小的內(nèi)存單位,這個亞微米級別是皮亞杰的研究重點。
  
  實驗室里正在制造的導線由周期表第三組和第五組的原子組成,包括鎵、鋁、銦、氮、磷和砷。今天設(shè)備中使用的晶體管的尺寸約為10納米,而實驗室中創(chuàng)建的水平納米線的尺寸相同,但有望根據(jù)晶體質(zhì)量提高電性能。
  
  研究人員使用的方法是在基底表面蝕刻納米導體,以創(chuàng)建不同的圖案,從而對各種結(jié)構(gòu)的性能進行測試。
  
  該研究目前正專注于確定可以改善該過程的因素。
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