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第三代半導(dǎo)體迎來“大殺器”:應(yīng)用材料全新設(shè)備助力產(chǎn)能倍增 行業(yè)正處加速擴(kuò)張期

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第三代半導(dǎo)體迎來“大殺器”:應(yīng)用材料全新設(shè)備助力產(chǎn)能倍增 行業(yè)正處加速擴(kuò)張期

來源:科創(chuàng)板日報(bào)


       《科創(chuàng)板日報(bào)》(上海,研究員鄭遠(yuǎn)方)訊,以硅為代表的“傳統(tǒng)”半導(dǎo)體的工藝極限漸近,后摩爾時(shí)代技術(shù)已開始嶄露頭角,其中第三代半導(dǎo)體更是各方競相角逐的重點(diǎn)領(lǐng)域。
  
  半導(dǎo)體設(shè)備龍頭應(yīng)用材料(AppliedMaterial)9日推出新產(chǎn)品MirraDurumCMP系統(tǒng)及VIISta9003D熱離子植入系統(tǒng),幫助SiC(碳化硅)芯片生產(chǎn)從6寸晶圓升級(jí)至8寸晶圓,由此每片晶圓可用制造面積幾乎擴(kuò)大一倍,產(chǎn)能近乎倍增。
  
  據(jù)悉,CMP新系統(tǒng)集成拋光、材料去除測量、清潔和干燥,可精確移除晶圓上碳化矽材料,最大化芯片效能、可靠性和產(chǎn)能;而后者可在對晶格結(jié)構(gòu)破壞最小的情況下注入離子,進(jìn)而最大化發(fā)電量和元件產(chǎn)能。
  
  產(chǎn)能翻倍有多重要?眼下全球SiC晶圓年產(chǎn)能約在40-60萬片,遠(yuǎn)不能滿足下游需求,供給端成為SiC關(guān)鍵制約因素之一,技術(shù)優(yōu)勢帶來的穩(wěn)定產(chǎn)能將是廠商的重要競爭力。
  
  襯底便是與產(chǎn)能密切相關(guān)的一個(gè)部分。目前,化合物半導(dǎo)體大多是基于SiC襯底進(jìn)行外延生長。6寸SiC晶圓襯底是全球主流,已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化,而8寸則是“努力的方向”,分析師指出,升級(jí)至8寸襯底至關(guān)重要,其有助于提高產(chǎn)線通用性、擴(kuò)大產(chǎn)能、降本效應(yīng)有望顯現(xiàn)。
  
  行業(yè)擴(kuò)張加速群雄紛爭第三代半導(dǎo)體
  
  “一直以來,芯片廠商都在攜手共進(jìn),打造SiC市場,但如今競爭的號(hào)角已經(jīng)吹響。”這是來自第三代半導(dǎo)體領(lǐng)跑者之一——羅姆的感嘆。
  
  近年來,第三代半導(dǎo)體玩家名單越拉越長,這個(gè)領(lǐng)域儼然已成為產(chǎn)業(yè)端、投資界、各地政府的“寵兒”。
  
  “老玩家”如羅姆率先擴(kuò)產(chǎn),近日已在日本福岡開工建新廠,力圖將產(chǎn)能提高5倍向上,更是放出豪言,要在2025年占據(jù)30%全球SiC芯片市場份額。除此之外,還有廠商試圖通過合作、吞并實(shí)現(xiàn)版圖擴(kuò)張,例如Cree與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大SiC供應(yīng)協(xié)議,金額超過8億美元。
  
  “新晉者”中,安森美以4.15億美元收購SiC廠商GTAT;聯(lián)電、鴻海則分別通過攜手封測廠、收購晶圓廠,切入第三代半導(dǎo)體。
  
  除了半導(dǎo)體廠商的大動(dòng)作之外,第三代半導(dǎo)體發(fā)展的另一大催化劑便是新能源汽車。龍頭特斯拉一馬當(dāng)先,其Model3車型搭載了以24個(gè)SiC-MOSFET為功率模塊的逆變器;比亞迪、蔚來、吉利也緊隨其后開始布局。中泰證券認(rèn)為,2021年汽車領(lǐng)域SiC有望進(jìn)入放量元年。
  
  再看回國內(nèi),SiC逐漸掀起投資熱潮,更有望納入“十四五”,獲得政策加持。據(jù)8月24日工信部答復(fù),碳化硅復(fù)合材料、碳基復(fù)合材料等將被納入“十四五”產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新相關(guān)發(fā)展規(guī)劃。
  
  另一方面,近3年來,SiC項(xiàng)目已落地17個(gè)省份,遍布全國各地的足跡與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)線分布截然不同;而政府投資項(xiàng)目達(dá)32個(gè),計(jì)劃投資金額超過700億元。
  
  具體到產(chǎn)業(yè)鏈廠商,國內(nèi)已涌現(xiàn)出一批后起之秀,發(fā)展迅速,其中:
  
  三安光電第三代半導(dǎo)體襯底年產(chǎn)能規(guī)劃約3.6萬片;露笑科技預(yù)計(jì),9月底SiC項(xiàng)目一期可小批量出貨;北方華創(chuàng)、華潤微、聞泰科技、揚(yáng)杰科技等已相繼入局。
  
  此外,SiC襯底廠商天岳先進(jìn)科創(chuàng)板IPO已于9月9日成功過會(huì);同光晶體10萬片SiC項(xiàng)目已于上周投產(chǎn),公司還計(jì)劃一年內(nèi)科創(chuàng)板上市;天科合達(dá)也處于上市申報(bào)階段。
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